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《半导体学报》发布2023年度中国半导体十大研究进展
 评论 ⋅  2024-02-06 19:45
第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
中国电科（山西）碳化硅材料产业基地（二期）项目最新进展
中国电科山西碳化硅材料产业基地二期碳化硅材料
 评论 ⋅  2024-01-08 11:29
半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:54
ULVAC牛山史三：GaN溅射技术进展
 评论 ⋅  2023-12-27 14:34
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展
 评论 ⋅  2023-12-19 13:52
IFWS 2023│科友半导体赵丽丽：8英寸碳化硅衬底产业化进展
 评论 ⋅  2023-12-19 11:05
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙：大尺寸SiC单晶的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 11:52
中芯国际12英寸晶圆代工生产线新进展 总投资573亿元
 评论 ⋅  2023-12-15 17:37
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│厦门大学黄凯：显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展
 评论 ⋅  2023-12-07 14:33
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
SSLCHINA2023│京东方曹占锋：玻璃基MLED 显示进展与挑战
 评论 ⋅  2023-12-06 15:06
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
长城汽车在SiC领域的两大新进展
 评论 ⋅  2023-12-05 17:05
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
SSLCHINA2023│厦门大学吴挺竹：基于GAN的元技术和EV的技术的最新进展
 评论 ⋅  2023-11-27 19:39
SSLCHINA2023│Mini/Micro-LED及其他新型显示技术最新进展
 评论 ⋅  2023-11-27 19:16
IFWS&SSLCHINA 2023重磅关注│三安将亮相并全面分享碳化硅、GaN激光器、MiniMicro-LED、UV LED等重要进展
 评论 ⋅  2023-11-23 14:41
宁波材料所在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的中间层设计和制备方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-10 13:53
西安交大-清华联合研究团队在热电半导体材料领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-07 17:29
同济大学团队在超低功耗物联网芯片与系统领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2023-11-06 18:46
中国科学院院士郝跃：第三代半导体的若干新进展
 评论 ⋅  2023-10-30 16:41
三安光电：碳化硅新进展 8英寸衬底准量产
 评论 ⋅  2023-10-24 10:33
CASICON 2023深圳前瞻 |爱发科王禹：碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展
 评论 ⋅  2023-09-28 11:49
又一批半导体产业项目迎来新进展！
 评论 ⋅  2023-09-28 09:38
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