IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展

日期:2023-11-30 阅读:460
核心提示:氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集

 氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。其技术发展将推动多个领域的技术发展,并满足未来对高性能、高效能转换和小型化的需求。

2023年11月27-30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

合影

期间,“氮化镓功率电子器件技术分会“如期召开,本届分会得到了三安光电股份有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司的协办支持。分会上,来自加拿大多伦多大学、沙特国王科技大学、日本国立材料研究所、台湾成功大学、日本爱发科株式会社、南方科技大学深港微电子学院、西安电子科技大学、华南师范大学、大连理工大学、深圳大学、湖南大学、南京大学、西交利物浦大学、致能科技、成都氮矽科技等国内外实力派代表性科研力量及实力派企业专家齐聚,共同探讨氮化镓功率电子器件技术的前沿发展趋势及最新动向。电子科技大学集成电路研究中心主任/教授张波,加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任吴伟东共同主持了本届分会。

主持人张波

电子科技大学集成电路研究中心主任/教授张波

叶伟东

加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任吴伟东

李清庭

李清庭--台湾元智大学前副校长、台湾成功大学特聘教授

《GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管》

牛山史三

牛山史三--日本爱发科株式会社首席技术官

《GaN溅射技术进展》

于洪宇

于洪宇--南方科技大学深港微电子学院院长、教授

《高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究进展》

黎子兰

黎子兰--广东致能科技有限公司总经理

《氮化镓功率半导体在中高压领域的进展》

李祥东

李祥东--西安电子科技大学华山教授,广州第三代半导体创新中心副主任 

《氮化镓高压电力电子器件中试技术与平台》 

桑立雯

桑立雯--日本国立材料研究所独立研究员

《GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器》

朱仁强

朱仁强--成都氮矽科技有限公司器件设计总监

《增强型功率氮化镓器件结构设计进展》

黄火林

黄火林--大连理工大学教授

《基于电子模式GaN的MIS-HEMTS中的工艺和可靠性问题》

尹以安

尹以安--华南师范大学研究员

《具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究》

刘新科

刘新科--深圳大学副教授

《低成本垂直GaN功率器件》

陶明

陶明--湖南大学电气与信息工程学院助理教授

《原位N2或H2/N2等离子体预处理全凹栅增强型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱态的研究》

代替汤潇

Vishal Khandelwal--沙特国王科技大学 

《二维材料Ti3C2栅电极提升氮化镓电子器件性能》

郭慧

郭慧--南京大学

《NiO/AlGaN界面载流子输运与高压RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT》

李昂

李昂--西交利物浦大学

《适用于48V应用,具有25至250°C的高温灵敏度,单片GaN双管温度传感器》

 

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

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