SSLCHINA2023│厦门大学吴挺竹:基于GAN的元技术和EV的技术的最新进展

日期:2023-11-27 阅读:398
核心提示:2023年11月27-30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开

 2023年11月27-30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛为期4天,由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

27日,“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术分会”如期召开,本届分会由三安光电股份有限公司、纳微朗科技(深圳)有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、广东晶科电子股份有限公司、深圳市大族半导体装备科技有限公司的协办支持。

吴挺竹

分会上,厦门大学微电子学院副教授吴挺竹带来了“基于GAN的元技术和EV的技术的最新进展”的主题报告。由于多功能性和可调谐性,微发光二极管(μLED)被认为是下一代显示技术的组成部分,能够满足复杂设备的需求。其在低电流密度(≤100A/cm2)下的发光效率和波长稳定性将决定全色微型显示器的性能,而半极性微型LED与侧壁钝化技术的结合可以提高发光效率和颜色稳定性。颜色转换技术是实现全色显示的典型方法,应用喷墨打印技术、量子点光刻胶技术和无机薄膜颜色转换等方案来实现微型LED全色显示。

此外,还可以通过使用RC LED的改进的散射角来增加像素密度。除了用于全彩显示器外,高效、高带宽的InGaN红色微型LED在可见光通信中也具有良好的应用前景,实现了高速数据传输。我们提出了一种通过结合超晶格结构、原子层沉积钝化和分布式布拉格反射器制造的高效InGaN红色微LED,其表现出5.02%的最大外量子效率和对应于112A/cm2的注入电流密度的低效率下降。InGaN中的快速载流子动力学通过使用时间分辨光致发光来表征,该光致发光与25μm大小的微型LED阵列在2000 a/cm2的高注入电流密度下以350 Mbit/s的数据传输速率实现的271MHz的高调制带宽相关。它在全色微型显示器以及基于单片InGaN微型LED技术的高速可见光通信应用方面具有巨大的前景。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

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