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东芝推出
采用
超级结结构的600V N沟道功率MOSFET
纳微半导体联手埃克塞德,工业充电桩
采用
GeneSiC碳化硅功率器件
采用
Wolfspeed SiC 技术的混合动力飞机成功试飞
电装推出首款
采用
SiC功率半导体的逆变器
英诺赛科发布两款 40V VGaN 新品,均
采用
WLCSP封装
台媒:苹果自研5G基带芯片将
采用
台积电3纳米制程
Wolfspeed 推出 SpeedVal Kit™ 平台,
采用
模块化方法简化评估
晶能光电率先发布ADB大灯LED模组新品
采用
车用CSP LED光源
中国科学院上海微系统与信息技术研究所团队首次
采用
GNR边缘接触制备出目前世界上最小尺寸相变存储单元器件
小鹏G9上市在即,
采用
800V碳化硅高压电驱平台!高压快充路线受青睐!
三星宣布3纳米芯片正式开始量产
采用
新 GAA晶体管架构 提高30%性能
小鹏下半年将布局全新超级充电桩,
采用
800V高压Sic平台
苹果A16芯片传仍
采用
台积电5纳米、M2芯片改
采用
3纳米
Wolfspeed:
采用
碳化硅技术,满足最新能效标准
中兴2021年终端出货量超1亿部,50%
采用
自研芯片
国际首创!浙大杭州科创中心首次
采用
新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
Lucid Motors与Wolfspeed强强合作,在屡获殊荣的Lucid Air车型中
采用
SiC半导体
首次
采用
GAA技术 台积电正式启动2nm晶圆厂建设,将于2025年投产
OPPO 首款自研 AP 芯片 2023 年量产,
采用
6纳米米制程生产
东芝推出
采用
最新一代工艺150V N沟道功率MOSFET大幅提高电源效率
元戎启行宣布
采用
英伟达Drive Orin系统级芯片,L4级自动驾驶前装量产打造车规级方案
郭明錤:预计苹果今年将发布30W快充GaN充电器,
采用
全新外观设计
分析师郭明錤:苹果或推出一款
采用
氮化镓技术的30W电源适配器
DB HiTek 将
采用
硅基氮化镓技术改进 8 英寸半导体工艺
DB
HiTek
硅基
氮化镓
8英寸
半导体工艺
美国俄亥俄州立大学Anant AGARWAL 教授:碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛
采用
的可能性探讨
美国俄亥俄州立大学
教授
Anant
AGARWAL
碳化硅芯片
电动汽
外媒:台积电3nm量产遭遇瓶颈,苹果A16芯片或将不
采用
3nm制程
OPPO自研芯片或将
采用
3nm制程
Wolfspeed 与致瞻科技
采用
SiC技术提升燃料电池汽车性能
通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议,在通用汽车未来电动汽车计划中
采用
SiC
通用汽车
Wolfspeed
电动汽车
SiC
壁仞科技首款通用GPU交付流片
采用
7nm制程、明年面向市场发布
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