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简述国内半导体激光器产业该如何发展
 评论 ⋅  2022-11-25 10:00
山东华光获批建设山东省半导体激光技术创新中心
 评论 ⋅  2022-11-25 09:57
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
简述功率MOSFET电流额定值和热设计
 评论 ⋅  2022-11-22 17:40
托托科技董事长吴阳博士将受邀出席2022化合物半导体器件与封装技术论坛并作报告
 评论 ⋅  2022-11-22 16:10
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展
 评论 ⋅  2022-11-22 14:40
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-21 15:30
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
安徽省半导体产业共性技术研究中心成功获批
 评论 ⋅  2022-11-21 09:17
深圳先进连接牵头起草的T/CASAS 023—202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-18 16:38
Nature Electronics 电力电子首篇综述 - 功率器件的多维结构
 评论 ⋅  2022-11-18 14:38
厦门大学&西北工业大学Adv. Sci.: 19.6%效率！高效稳定1D/3D钙钛矿光伏组件
 评论 ⋅  2022-11-18 13:43
2022化合物半导体器件与封装技术论坛即将于深圳举行
 评论 ⋅  2022-11-18 09:46
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
技术转化项目发布：英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
 评论 ⋅  2022-11-17 14:43
晶圆切割常见缺陷问题分析
 评论 ⋅  2022-11-17 14:42
长平时代发布用于车载电子的900V硅基氮化镓外延片
 评论 ⋅  2022-11-17 14:13
简述提高GaN效率的新掺杂技术
 评论 ⋅  2022-11-16 10:25
日本东京大学开发出新一代半导体加工技术 封装基板布线用孔降至6微米以下
 评论 ⋅  2022-11-16 09:26
MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效
 评论 ⋅  2022-11-15 14:21
基于SiC的电动汽车用纯电驱动单元研究
 评论 ⋅  2022-11-15 10:29
突发！Wolfspeed联合创始人兼首席技术官John Palmour 博士去世
 评论 ⋅  2022-11-15 07:55
欣锐科技双向充电技术已应用第三代半导体碳化硅技术并实现量产
 评论 ⋅  2022-11-14 15:30
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:24
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-11 15:20
中科院微电子所研制高功率密度5结级联905nm VCSEL
 评论 ⋅  2022-11-11 11:14
三星正开发新的汽车芯片封装技术
 评论 ⋅  2022-11-11 09:26
济南新旧动能转换起步区“十四五”产业发展规划发布 将发力集成电路等新一代信息技术产业
 评论 ⋅  2022-11-10 16:31
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