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昌龙智芯半导体功率器件项目投资超5亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 15:59
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-30 15:35
行业Top级厂商齐聚功率器件展区！CSE 2025等您来探！
 评论 ⋅  2024-12-27 19:41
功率半导体器件研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
 评论 ⋅  2024-12-27 14:39
武汉敏声高端射频滤波器生产线项目封顶
 评论 ⋅  2024-12-27 09:37
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
 评论 ⋅  2024-12-26 14:22
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
总投资7.5亿元，星曜半导体5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产
 评论 ⋅  2024-12-24 15:10
晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-24 10:34
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
韩国2025年将豪掷25.5万亿韩元投资半导体、显示器等先进产业
 评论 ⋅  2024-12-23 10:47
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
光迅科技高端光电子器件产业基地一期达产
 评论 ⋅  2024-12-20 11:14
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
CSA半导体激光器专业委员会正式成立，并成功召开第一届一次会议
 评论 ⋅  2024-12-18 15:37
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
日本国立材料研究所廖梅勇团队实现金刚石DUV探测器低电压高增益新突破！
 评论 ⋅  2024-12-17 16:18
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
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