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格力电
器
获得发明专利授权:“IGBT模块保护装置、IGBT模块及变频
器
”
报告前瞻| 阳光电动力万富翔:新一代功率
器
件并联技术在电驱系统的应用
CASA立项《HEMT功率
器
件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
厦门市三安集成电路有限公司取得氮化镓半导体
器
件专利,防水汽侵蚀能力较高
长飞先进半导体申请功率
器
件及相关专利,降低功耗
报告前瞻|湖南三安半导体许志维:SiC MOSFET
器
件技术之发展与挑战
新微半导体“垂直腔面发射激光
器
的外延结构及其校验方法”专利公布
总投资16.8亿元,晶旭半导体高频滤波
器
芯片项目将于7月投用
比亚迪半导体“存储
器
测试方法、存储
器
测试装置、存储介质和电子设备”专利公布
格恩半导体取得半导体激光
器
封装模组专利,降低激光
器
芯片的热失配和温升幅度
紫光同芯“一种SGT
器
件及其制备方法”专利公布
日本加强出口管制!42家中国实体列入“黑名单”,涉及处理
器
、光刻机等领域
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率
器
件
德州仪
器
:到 2030 年,公司预计有超 95% 晶圆通过内部采购
中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.:用于超高分辨率micro-LED显示
器
的远程外延晶体钙钛矿
中国首款高压抗辐射碳化硅功率
器
件研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅功率
器
件研制成功并验证
杭州士兰微电子取得半导体
器
件专利,控制了栅漏电容
总投资10亿元,芯瓷科技半导体功率
器
件用DPC陶瓷基板项目投产
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子
器
件研究成果
南科大深港微电子学院于洪宇、王中锐、汪青研究团队在LiNbO3压电声表面波相移
器
领域取得新进展
英飞凌宣布合并传感
器
和射频业务
核能安全所在超宽禁带材料半导体辐射探测
器
研制方面取得新进展
苹果攻机
器
人 砷化镓三雄迎大商机
年产100万只高速光通信
器
件和模块项目正式启动厂房装修工程
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT
器
件及其制备方法”专利公布
世界首个采用6.5kV功率
器
件的柔性直流工程成功投运
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT
器
件及其制备方法”专利公布
南京邮电大学研究团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测
器
取得进展
甬江实验室信息材料与微纳
器
件制备平台正式投用
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