首页 > 新闻资讯 > 搜索
IFWS 2023│三安半导体技术总监叶念慈：产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能
 评论 ⋅  2023-11-29 19:45
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术
 评论 ⋅  2023-11-29 11:25
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
IFWS 2023前瞻│碳化功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-19 16:50
IFWS 2023前瞻│氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-18 17:35
IFWS 2023前瞻│氮化镓射频电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-14 18:16
矽力杰获批宽禁带功率器件与应用浙江省工程研究中心
 评论 ⋅  2023-11-14 16:29
性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
致能科技首发1200V 高可靠性氮化镓器件平台
 评论 ⋅  2023-11-10 19:43
国际上首次！基于晶圆级高导热异质集成衬底实现已报道的最高截止频率氧化镓射频器件
 评论 ⋅  2023-11-08 19:39
捷捷微电：南通半导体6英寸项目已于三季度投产 达产后预计可形成6英寸晶圆100万片/年及100亿只/年功率半导体封测器件的产业化能力
 评论 ⋅  2023-10-31 15:39
碳化硅供需紧缺，晶圆、功率器件头部上市公司加速布局
 评论 ⋅  2023-10-27 17:33
我国推进大功率电力器件发展 功率半导体行业向好
 评论 ⋅  2023-10-26 15:27
国星光电SiC-MOSFET器件获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2023-10-24 10:30
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗功率器件方面取得重大进展
 评论 ⋅  2023-10-23 16:54
干勇院士：半导体器件是金刚石重点发展领域
 评论 ⋅  2023-10-20 15:07
乂易半导体11亿功率器件项目签约徐州
 评论 ⋅  2023-10-18 14:53
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
 评论 ⋅  2023-10-18 10:44
十六位嘉宾精彩分享 2023化合物半导体器件与封装技术论坛深圳收官
 评论 ⋅  2023-10-13 14:41
2023化合物半导体器件与封装技术论坛深圳举行
 评论 ⋅  2023-10-12 15:33
长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装解决方案
 评论 ⋅  2023-10-08 14:32
长晶科技获批建设“江苏省功率器件工程技术研究中心”
 评论 ⋅  2023-10-07 16:47
CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光电副总经理梁超博士：面向高功率器件的超高导热AlN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-09-28 13:45
CASICON 2023深圳前瞻 |爱发科王禹：碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展
 评论 ⋅  2023-09-28 11:49
CASICON 2023深圳前瞻 |托托科技吴阳：第三代半导体装备从器件制造到性能表征
 评论 ⋅  2023-09-28 11:27
CASICON 2023深圳前瞻 |南方科技大学叶怀宇：碳化硅器件封装工艺研发
 评论 ⋅  2023-09-26 11:39
德信芯片高端功率器件晶圆研发生产项目奠基 总投资50亿元
 评论 ⋅  2023-09-25 10:18
日程出炉！2023化合物半导体器件与封装技术论坛将于10月12-13日在深圳召开
 评论 ⋅  2023-09-22 15:06
国家第三代半导体技术创新中心（南京）投产 打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台
 评论 ⋅  2023-09-07 15:51
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部