首页 > 新闻资讯 > 搜索
中芯集成-U 申请 MEMS 器件及其制备方法专利，避免大量自由电荷堆积在振膜中
 评论 ⋅  2024-07-12 15:57
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-11 17:27
英诺赛科在ITC初步裁决中成功驳回EPC 508专利的全部权利要求
 评论 ⋅  2024-07-10 05:57
清纯半导体“半导体功率器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-08 13:26
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-08 13:24
银河微电申请SiCMOSFET板级封装优化设计方法专利，设计效率高
 评论 ⋅  2024-07-04 10:43
晶盛机电取得晶圆形貌测量方法及设备专利
 评论 ⋅  2024-07-03 17:16
三安半导体“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-03 15:11
芯聚能 “功率模块的封装方法、装置和功率模块”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-03 13:59
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利，能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构
 评论 ⋅  2024-07-01 16:06
新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-06-12 16:15
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
 评论 ⋅  2024-05-31 08:21
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置专利
 评论 ⋅  2024-05-10 10:00
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
捷捷微电子“一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT”专利公布
 评论 ⋅  2024-04-07 13:18
锴威特获得发明专利授权：“一种新型宽禁带功率半导体器件及其制作方法”
 评论 ⋅  2024-03-29 14:25
大连理工大学“氮化镓气体传感器及其制备方法、应用”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-29 11:10
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利，提高了老化效率，加速了双极退化
 评论 ⋅  2024-03-28 12:01
清华大学申请半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备专利
 评论 ⋅  2024-03-27 14:29
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
睿创微纳获得实用新型专利授权：“一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器”
 评论 ⋅  2024-03-26 16:46
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构专利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
 评论 ⋅  2024-03-25 15:00
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗
 评论 ⋅  2024-03-22 17:30
长鑫存储“半导体结构及其形成方法、存储器”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-14 17:29
晶合集成申请半导体器件专利，提升半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-03-13 19:17
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部