三安半导体“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”专利公布

日期:2024-07-03 阅读:263
核心提示:天眼查显示,湖南三安半导体有限责任公司氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件专利公布,申请公布日为2024年7月2日,申请公

天眼查显示,湖南三安半导体有限责任公司“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”专利公布,申请公布日为2024年7月2日,申请公布号为CN118280836A。

本申请提供了一种氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件;该制备方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底中的第二半导体层的上表面形成间隔设置的盖帽层、源极和漏极;在第二半导体层的上表面形成第一介质层;在第一介质层的上表面形成第二介质层,其中,第二介质层的材料包括水氧基氧化铝;在第二介质层对应盖帽层的区域形成贯穿第二介质层的第一开口;在第一开口内形成第三介质层,其中,第三介质层的材料包括臭氧基氧化铝。具体的,通过在第一开口内形成第三介质层,利用第三介质层的强氧化作用,能够使后续刻蚀将盖帽层表面的第一介质层刻蚀干净,以此在后续工艺形成栅极时,能够增加栅极漏电,减小阈值电压,提高器件性能。

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