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北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法
专利
,显著提升器件的光输出功率
捷捷微电子“一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT”
专利
公布
锴威特获得发明
专利
授权:“一种新型宽禁带功率半导体器件及其制作方法”
大连理工大学“氮化镓气体传感器及其制备方法、应用”
专利
公布
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置
专利
,提高了老化效率,加速了双极退化
清华大学申请半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备
专利
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法
专利
,实现电流密度的增加
睿创微纳获得实用新型
专利
授权:“一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器”
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
专利
,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管
专利
,有利于提高发光多量子阱中的铟并入
华为公司申请半导体器件及其制备方法
专利
,降低半导体器件的功率损耗
长鑫存储“半导体结构及其形成方法、存储器”
专利
公布
晶合集成申请半导体器件
专利
,提升半导体器件的性能
长鑫存储申请晶圆级封装方法
专利
,提高晶圆封装的良率
纳芯微推出基于创新型振铃抑制
专利
的车规级CAN SIC: NCA1462-Q1
比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件
专利
,能够提高耐压值
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法
专利
,提高整个异质集成结构的热导率
海信家电申请半导体装置
专利
,降低半导体装置的生产成本
东微半导申请氮化镓器件及其制造方法
专利
,提供一种氮化镓器件
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法
专利
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件
专利
,有效抑制负阻效应,提高器件性能
晶合集成取得半导体器件及其制备方法
专利
,改善电阻Rc并提高良率
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法
专利
,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
士兰微获得发明
专利
授权:“功率半导体器件及其制造方法”
武汉新芯“半导体器件及其制备方法”
专利
公布
晶合集成申请半导体结构及其制备方法
专利
中芯国际“电容器结构及其形成方法”
专利
公布
三星取得半导体封装件新
专利
,具有嵌入芯片的再布线层
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法
专利
,能够降低器件的沟道电阻
中国西电获得发明
专利
授权:“基于大容量电力电子开关施加故障电流装置及试验方法”
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