国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体激光器元件”的专利，公开号CN120262170A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层上方具有光场局域化层，所述光场局域化层包括第一光场局域化层、第二光场局域化层和第三光场局域化层。本发明通过特定设计的极性光学声子能量分布、特定设计的辐射复合系数分布、特定设计的折射率系数分布形成任意对称性和扭曲角的光子莫尔超晶格，构建光子晶格间的长距离耦合，形成宽带光捕获的二维等离激元，诱导激光光场局域化，增强光学手性和光子水平定向能带激射，降低激光元件的光吸收内损耗，提升限制因子。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息482条，此外企业还拥有行政许可12个。
