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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
北方华创“晶舟结构、半导体热处理设备及其控制方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-07 19:05
江西誉鸿锦取得亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法专利
 评论 ⋅  2025-04-02 17:39
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
镓特半导体取得一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器专利，能够提升氮化镓晶圆片生长尺寸
 评论 ⋅  2025-03-31 10:38
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的专利，能够明显提高原料利用率
 评论 ⋅  2025-03-26 19:09
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利，提高了氮化镓晶圆的抛光效率
 评论 ⋅  2025-03-21 15:31
江苏超芯星半导体申请一种 8 英寸碳化硅晶圆单面抛光方法专利，显著降低生产成本
 评论 ⋅  2025-03-20 16:55
安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性
 评论 ⋅  2025-03-20 11:03
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
泰科天润“一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-03-20 10:58
中芯北方取得半导体器件及其形成方法专利
 评论 ⋅  2025-03-19 16:39
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利，可提高氮化镓器件在电源应用中的可靠性
 评论 ⋅  2025-03-11 15:59
苏州创芯致尚取得一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置专利，提高切割稳定性和精准度
 评论 ⋅  2025-03-07 17:31
江西兆驰半导体取得用于蓝宝石衬底的清洗装置专利，方便收集清洗后的废液
 评论 ⋅  2025-02-26 18:41
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工装置专利，提高加工效率
 评论 ⋅  2025-02-26 17:17
格力电器获得发明专利授权：“IGBT模块保护装置、IGBT模块及变频器”
 评论 ⋅  2025-02-26 17:14
厦门市三安集成电路有限公司取得氮化镓半导体器件专利，防水汽侵蚀能力较高
 评论 ⋅  2025-02-25 18:13
英飞凌科技申请功率半导体模块装置及其制作方法专利，实现材料固化形成固体层等操作
 评论 ⋅  2025-02-24 16:44
北方华创申请工艺腔室及半导体工艺设备专利，双重密封提高射频线圈处的密封性
 评论 ⋅  2025-02-24 10:30
长飞先进半导体申请功率器件及相关专利，降低功耗
 评论 ⋅  2025-02-24 10:29
新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-19 11:45
日月光半导体取得一种封装结构专利，简化了制造工艺
 评论 ⋅  2025-02-18 14:28
长园半导体设备取得芯片取料装置和芯片生产系统专利，有效提高产品从膜片上取料的成功率
 评论 ⋅  2025-02-18 14:27
格至达智能取得IGBT功率模块专利，保证可靠性和耐用性
 评论 ⋅  2025-02-18 14:23
比亚迪半导体“存储器测试方法、存储器测试装置、存储介质和电子设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-17 11:20
北方华创“上电极装置及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-14 18:15
格恩半导体取得半导体激光器封装模组专利，降低激光器芯片的热失配和温升幅度
 评论 ⋅  2025-02-14 14:37
紫光同芯“一种SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-14 10:31
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