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基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-07 14:55
中芯微取得半导体生产制造用光刻机专利，可实现移动目的
 评论 ⋅  2025-01-07 14:27
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:40
北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:39
天域半导体取得水平气流SiC外延设备石英钟罩内壁清洁工具专利，能够保证石英钟罩的清洁效果符合炉膛反应需求
 评论 ⋅  2025-01-03 10:45
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-31 16:08
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
深圳晶源申请光刻胶模型优化方法专利，能够解决模型中存在的过拟合现象和一致性不佳的技术问题
 评论 ⋅  2024-12-27 15:39
河北同光半导体申请具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜专利，实现碳化硅薄膜高效剥离且无损伤
 评论 ⋅  2024-12-27 14:54
无锡锟芯半导体取得一种IGBT的驱动装置专利，实现IGBT本体的快速装拆
 评论 ⋅  2024-12-26 17:00
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
安徽格恩半导体申请GaN基化合物半导体激光元件专利，提升光束质量因子
 评论 ⋅  2024-12-26 15:08
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
长光华芯“一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-26 09:16
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长装置专利，有利于生长空间的稳定性
 评论 ⋅  2024-12-24 16:04
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-24 10:34
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:33
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:32
华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀
 评论 ⋅  2024-12-23 16:54
郑州势垒取得用于金刚石生长的 MPCVD 装置专利，能有效隔离外界空气维持真空工作环境
 评论 ⋅  2024-12-23 15:15
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利，能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
 评论 ⋅  2024-12-19 17:36
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利，实现晶圆级别集成
 评论 ⋅  2024-12-19 17:32
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
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