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标准 |华峰测控牵头的3项SiC MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:20
重磅发布 | 2项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布
 评论 ⋅  2025-04-24 08:53
清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台
 评论 ⋅  2025-04-22 12:10
纳微半导体推出全新SiCPAK™功率模块
 评论 ⋅  2025-04-21 15:47
标准 | SiC MOSFET 有功对拖/杂感/AC-温湿度循环试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:52
标准 | SiC MOSFET晶圆级老化及筛选试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:50
标准 | SiC MOSFET模块局部放电试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:30
意法半导体：未来3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研发和建设
 评论 ⋅  2025-04-14 19:08
天岳先进SiC单晶项目即将投产
 评论 ⋅  2025-04-08 18:54
士兰微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量
 评论 ⋅  2025-04-08 16:27
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
 评论 ⋅  2025-03-28 15:02
标准 | “基于感性负载的SiC 功率模块老化筛选试验方法”征求意见
 评论 ⋅  2025-03-25 15:24
中信证券：建议关注SiC器件领军厂商以及衬底环节的本土龙头
 评论 ⋅  2025-03-18 11:34
芯联集成：公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局
 评论 ⋅  2025-03-18 11:22
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计
 评论 ⋅  2025-03-14 17:02
总投资约70亿！苏州又一碳化硅（SiC）项目建成
 评论 ⋅  2025-03-12 09:43
瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用
 评论 ⋅  2025-03-11 13:54
苏州创芯致尚取得一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置专利，提高切割稳定性和精准度
 评论 ⋅  2025-03-07 17:31
浙江大学任娜：基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管|CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-06 15:55
天通银厦康森：大尺寸蓝宝石晶圆技术发展及其在半导体领域的应用 |CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-06 15:47
泰克科技张欣：新型功率器件的特性表征 |CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-05 14:18
赛迈科吴厚政：精细石墨元件 化合物半导体高质量产业化的关键支撑 |CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-05 12:02
镓仁半导体董事长张辉：大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 16:48
中宜创芯董事长孙毅：碳化硅半导体粉体进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 14:27
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块，3B封装提升系统功率密度
 评论 ⋅  2025-03-03 11:39
CASICON重庆站：全面聚焦氮化镓、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:39
CASICON重庆站：众专家齐聚探讨8英寸碳化硅晶圆智能制造新进展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:29
智新半导体SiC模块封装产线迎最新进展
 评论 ⋅  2025-02-26 18:26
某单位SIC2024年第五批服务公开招标采购项目（二次）公开招标公告
 评论 ⋅  2025-02-19 17:05
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