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报告前瞻|湖南三安半导体许志维：SiC MOSFET器件技术之发展与挑战
 评论 ⋅  2025-02-19 15:03
英飞凌达成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：开始交付首批产品
 评论 ⋅  2025-02-18 17:33
钧联电子安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线！
 评论 ⋅  2025-02-13 07:05
突破！国产SiC外延设备首次大规模发货！
 评论 ⋅  2025-02-11 09:15
又一8英寸SiC项目即将封顶，年产72万片！
 评论 ⋅  2025-01-23 10:31
北京晶飞半导体SiC激光剥离设备出货
 评论 ⋅  2025-01-22 10:51
芯联集成2024全年毛利率转正，SiC业务营收超10亿元
 评论 ⋅  2025-01-16 13:41
SiC巨头Wolfspeed得州厂关闭并挂牌出售，将裁员75人
 评论 ⋅  2025-01-15 11:26
总投资1400亿卢比！又一个印度年产60万片SiC晶圆项目签约
 评论 ⋅  2025-01-14 12:02
天域半导体取得水平气流SiC外延设备石英钟罩内壁清洁工具专利，能够保证石英钟罩的清洁效果符合炉膛反应需求
 评论 ⋅  2025-01-03 10:45
芯丰精密首台8英寸全自动高精度SiC晶圆减薄机顺利交付
 评论 ⋅  2024-12-31 16:04
清纯半导体SiC MOSFET年度销售额首次突破亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 12:15
铭方半导体 SiC芯片项目建设加速
 评论 ⋅  2024-12-27 16:21
北京智慧能源研究院SiC外延片公开招标采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2024-12-26 16:44
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
博世获16亿元补贴，将投138亿元发力8英寸SiC芯片！
 评论 ⋅  2024-12-19 13:49
日本政府为电装-富士电机联合的SiC功率半导体计划投资705亿日元
 评论 ⋅  2024-12-19 11:52
天岳先进携12英寸导电N型碳化硅衬底亮相SEMICON Japan 2024
天岳先进SEMICONJAPAN碳化硅SiC12英寸碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-12-17 10:48
天岳先进荣膺“中国SiC衬底影响力企业”首位及“8英寸SiC先锋”
 评论 ⋅  2024-12-16 11:05
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
日本电装Denso、富士电机合建SiC项目
 评论 ⋅  2024-11-29 17:10
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
国联万众王川宝：SiC基电力电子及射频芯片技术发展研究 | IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 11:33
IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
天科合达8英寸SiC衬底二期项目开工！
 评论 ⋅  2024-11-12 18:29
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
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