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CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波：AlN单晶衬底和外延薄膜的制备
 评论 ⋅  2024-05-30 10:10
CASICON晶体大会前瞻 |西安交通大学李强：六方氮化硼薄膜制备及器件应用
 评论 ⋅  2024-05-29 14:57
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备
 评论 ⋅  2024-04-22 10:14
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
 评论 ⋅  2024-04-18 13:41
青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备！
 评论 ⋅  2024-04-15 13:17
大连理工大学“氮化镓气体传感器及其制备方法、应用”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-29 11:10
清华大学申请半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备专利
 评论 ⋅  2024-03-27 14:29
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗
 评论 ⋅  2024-03-22 17:30
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
武汉新芯“半导体器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-23 11:38
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-02-23 09:55
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
长电科技申请光电芯片互联封装结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-01-31 17:57
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
比亚迪半导体申请半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
 评论 ⋅  2024-01-09 10:21
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
SSLCHINA2023│河北工业大学徐庶：量子点氧化物复合材料的制备及LED应用
 评论 ⋅  2023-11-27 21:48
宁波材料所在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的中间层设计和制备方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-10 13:53
河北工业大学张勇辉：化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备
 评论 ⋅  2023-08-03 15:16
中镓半导体刘强：面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
 评论 ⋅  2023-08-02 10:10
中国科学院微电子所黄森：Si基GaN功率器件制备技术与集成
 评论 ⋅  2023-08-01 11:02
CASICON西安站前瞻|中国科学院微电子所黄森：Si基GaN功率器件制备技术与集成
 评论 ⋅  2023-07-13 11:36
重要成果！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术！
 评论 ⋅  2023-07-11 19:21
【CASICON 2023】河北工业大学张紫辉教授：GaN功率电子器件的物理建模与制备研究
 评论 ⋅  2023-05-08 10:30
首届九峰山论坛召开 共议化合物半导体关键材料与制备工艺趋势
 评论 ⋅  2023-04-24 20:22
科友半导体董事长赵丽丽：电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索
 评论 ⋅  2023-03-13 17:34
山东大学教授陈秀芳：大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底制备
 评论 ⋅  2023-03-03 16:28
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