晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利

日期:2024-02-23 阅读:356
核心提示:近日,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为半导体结构及其制备方法,公开号CN117577586A,申请日期

 近日,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117577586A,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括:提供衬底,包括依次相邻的第一区域、第二区域及第三区域;于衬底表面同步形成第一台阶及第二台阶;于衬底表面同步形成第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽,其中第一沟槽距离衬底表面的深度大于第二沟槽距离衬底表面的深度,且第二沟槽距离衬底表面的深度大于第三沟槽距离衬底表面的深度;形成第一隔离结构、第二隔离结构及第三隔离结构,第一隔离结构至少填充第一沟槽,第二隔离结构至少填充第二沟槽,第三隔离结构至少填充第三沟槽。该半导体结构的制备方法可以满足不同区域的隔离需求,同时减少工艺流程,节约成本。

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