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国内第一！中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2023-02-28 14:33
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来
 评论 ⋅  2023-02-28 14:09
华南理工大学微纳电子加工平台制备设备采购项目（三）（子包4：MOCVD采购）二次（项目编号：0835-220Z11909521-2）恢复采购公告
 评论 ⋅  2023-02-22 11:51
快讯|奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶
 评论 ⋅  2022-12-23 07:50
北京理工大学晶圆级量子探测材料制备设备采购公开招标公告
 评论 ⋅  2022-12-02 11:29
天岳先进：已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术
 评论 ⋅  2022-09-15 17:57
深圳职业技术学院半导体材料制备与测试系统公开招标公告
 评论 ⋅  2022-04-19 15:00
云南锗业：以大直径低位错密度锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料制备及其应用为重点研究方向
 评论 ⋅  2022-03-18 13:54
西安交通大学李强：hBN薄膜的制备与应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:08
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
 评论 ⋅  2021-09-17 15:58
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：氧化镓功率器件制备与封装技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:53
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
全球首台：苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻形貌制备光电子器件结构
 评论 ⋅  2020-07-28 06:40
全球首台：苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻形貌制备光电子器件结构
 评论 ⋅  2020-07-28 06:40
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