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高纯硅粉制备氮化硅陶瓷
 评论 ⋅  2025-04-30 10:54
泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-24 17:16
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-21 15:58
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
苏州长光华芯取得模式调控半导体发光结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2025-04-16 19:27
全球首创！九峰山实验室在氮极性氮化镓材料制备领域取得新突破
 评论 ⋅  2025-03-24 17:24
泰科天润“一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-03-20 10:58
西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片
 评论 ⋅  2025-03-19 12:03
长春光机所优化并制备出高亮度HiBBEE非均匀波导半导体激光器
 评论 ⋅  2025-03-14 08:27
紫光同芯“一种SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-14 10:31
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-05 15:01
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2025-01-09 17:12
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-07 14:55
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:40
甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台正式投用
 评论 ⋅  2024-12-31 16:23
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-31 16:08
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
长光华芯“一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-26 09:16
香港大学等联合开发革命性钻石制备技术 10秒产出2英寸金刚石晶圆
 评论 ⋅  2024-12-24 16:58
南科大李携曦课题组发表金刚石薄膜制备和应用领域研究成果
 评论 ⋅  2024-12-24 16:51
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:33
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:32
华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀
 评论 ⋅  2024-12-23 16:54
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
港大工程学者开发革命性的钻石制备技术
 评论 ⋅  2024-12-23 10:22
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
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