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上海硅酸盐所在自发凝固成型制备大尺寸/复杂形状高纯氧化铝部件方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-02-15 14:27
西安交通大学李强：hBN薄膜的制备与应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:08
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
南方科技大学孙小卫教授团队通过喷墨打印制备出业界寿命最长的量子点发光二极管
南方科技大学孙小卫教授喷墨打印制备业界寿命最长量子点发光二极管
 评论 ⋅  2021-09-29 08:55
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
 评论 ⋅  2021-09-17 15:58
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：氧化镓功率器件制备与封装技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:53
郑州大学郑大姬海鹏Inorg Chem：室温制备BaTiF6:Mn4+大单晶红光荧光体
郑州大学姬海鹏博士BaTiF6Mn4+单晶荧光体室温溶液合成方法相转变法红光荧光体
 评论 ⋅  2021-08-17 09:50
TCL华星开发全新量子点图案化技术：大于 1000PPI
TCL华星显示技术创新中心新材料新型电沉积技术，全色大面积量子点QDs图案化彩膜高性能QLED器件制备
 评论 ⋅  2021-08-04 15:09
郑州大学物理学院在半导体光电器件领域取得突破性进展
郑州大学物理学院石墨相氮化碳g-CN薄膜可控制备光电器件领域
 评论 ⋅  2021-04-23 16:54
砷化镓材料制备工艺
 评论 ⋅  2021-03-09 15:14
第三代半导体材料氮化镓发展历程及制备工艺
 评论 ⋅  2021-01-21 16:57
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
全球首台：苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻形貌制备光电子器件结构
 评论 ⋅  2020-07-28 06:40
全球首台：苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻形貌制备光电子器件结构
 评论 ⋅  2020-07-28 06:40
科研人员制备出具有宽谱带白光发射的非铅钙钛矿胶体纳米晶
制备宽谱带白光发射非铅钙钛矿胶体纳米晶
 评论 ⋅  2020-06-24 07:03
我国碳基半导体制备材料研制获重要突破
 评论 ⋅  2020-06-01 16:56
我国碳基半导体制备材料取得关键性突破
 评论 ⋅  2020-05-28 16:09
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