【CASICON 2021】西安交通大学李强:大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究

日期:2021-09-17     来源:半导体产业网    
核心提示:报告指出,通过三明治结构的设计进行电阻开关特性的测试,从实验上验证了磁控溅射制备大面积氮化硼薄膜具有电阻开关行为,为BN作为RRAM材料奠定了基础。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
 
六方氮化硼(h-BN)属六方晶系,其结构属于类石墨结构,常被成为“白石墨烯”层间B原子和N原子之间导致结构非常稳定。h-BN是一种具有优异的物理化学性质,应用潜力巨大的超宽禁带半导体。
 
h-BN具有本征吸收限低(210 nm),对紫外波段具有良好的透过效果;热导率高(600 W/m·k)可以提高器件的散热性能;介电常数小,这可以保证器件的寄生电容较小,具有更低的噪声和更快的响应时间;III族氮化物,有助于部分器件有源层材料晶体质量的提升;可通过掺杂金属调整折射率等特点。基于hBN的电阻开关在5G和太赫兹通信方面应用潜力巨大。
李强
会上,西安交通大学副教授李强做了题为“大面积hBN薄膜制备及电阻开关特性研究”的主题报告,从大面积hBN薄膜的制备、hBN薄膜的表征、hBN薄膜的应用等角度详细分享了研究成果。
 
报告指出,通过三明治结构的设计进行电阻开关特性的测试,从实验上验证了磁控溅射制备大面积氮化硼薄膜具有电阻开关行为,为BN作为RRAM材料奠定了基础。
 
研究结果显示采用溅射法制备了高质量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性。制备的 hBN 薄膜可以在大面积上获得良好的光滑度。溅射制备的 hBN 薄膜的 RS 行为首先在 Ag/hBN/Al 结构中观察到。Al掺杂BN薄膜的RS-window明显增加。
 
 
嘉宾简介
李强,从事宽禁带半导体材料与器件研究,主要研究方向:氧化物半导体材料(氧化铟锡ITO)和超宽禁带半导体材料(氮化硼BN)的制备与器件应用。第一发明人拥有国家授权发明专利11项,在国内外重要期刊上发表学术论文50余篇。主持国家及省部级项目6项,主讲国家一流本科生课程1门,陕西省精品课程1门,作为主编之一编写专著1部。
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