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天岳先进:已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底
制备
技术
高导热金刚石/铜复合材料的
制备
与界面调控研究进展
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法
制备
了准垂直金刚石肖特基二极管
高导热金刚石材料的
制备
及器件应用进展
我国科学家成功
制备
白光钙钛矿发光二极管
中国科学院上海微系统与信息技术研究所团队首次采用GNR边缘接触
制备
出目前世界上最小尺寸相变存储单元器件
上海微系统所信息功能材料国家重点实验室团队发布碳化硅单晶薄膜
制备
技术及集成光子应用综述
长春理工大学王登魁团队在
制备
CdSe量子点修饰ZnO微米线紫外光电探测器取得研究进展
南科大邓巍巍课题组在打印
制备
剪纸有机光伏电池领域取得新成果
华中科技大学黄亮课题组提出膨化
制备
超薄氧化物新策略
第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新技术路线
制备
2 英寸晶圆
中科院成功
制备
8英寸碳化硅晶体
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功
制备
2英寸氧化镓晶圆
金刚石MOSFET器件最新成果!在(111)金刚石衬底上成功
制备
高性能C-Si MOSFET器件
苏州大学揭建胜教授团队提出有机半导体单晶薄膜
制备
新方法,迁移率变异系数仅9.8%
深圳职业技术学院半导体材料
制备
与测试系统公开招标公告
北大材料学院刘磊课题组在六方氮化硼材料的
制备
及其同位素效应研究中取得系列进展
中科院化学所在印刷
制备
单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展
云南锗业:以大直径低位错密度锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料
制备
及其应用为重点研究方向
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态
制备
中国人大陈珊珊教授团队在宽带隙超薄二维氮化镓的可控
制备
方面获新进展
上海硅酸盐所在自发凝固成型
制备
大尺寸/复杂形状高纯氧化铝部件方面取得新进展
西安交通大学李强:hBN薄膜的
制备
与应用
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件
制备
技术
南方科技大学孙小卫教授团队通过喷墨打印
制备
出业界寿命最长的量子点发光二极管
南方科技大学
孙小卫教授
喷墨打印制备
业界
寿命最长
量子点发光二极管
【CASICON 2021】西安交通大学李强:大面积hBN薄膜
制备
及 电阻开关特性研究
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮:AlN/AlScN材料
制备
技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:氧化镓功率器件
制备
与封装技术
郑州大学郑大姬海鹏Inorg Chem:室温
制备
BaTiF6:Mn4+大单晶红光荧光体
郑州大学
姬海鹏博士
BaTiF6
Mn4+单晶荧光体
室温
溶液合成方法
相转变法
红光荧光体
TCL华星开发全新量子点图案化技术:大于 1000PPI
TCL
华星
显示技术
创新中心
新材料
新型
电沉积技术,
全色大面积量子点
QDs
图案化彩膜
高性能
QLED
器件
制备
第
5
页/共
6
页
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