9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。届时，云南大学材料与能源学院（研究员、云南省重点实验室副主任）、云南中科鑫圆晶体材料有限公司科技副总经理王茺受邀将出席会议，并带来《GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！
嘉宾简介
王茺，云南大学博士生导师，研究员（三级岗），云南中科鑫圆晶体材料有限公司科技副总经理，长期从事半导体材料与器件的教学、研究和产业化推广工作，曾先后开展InAs/GaAs量子阱&量子点、Ge/Si量子点、锗基合金、Ge单晶、InAs单晶、GaAs单晶和GaSb单晶等多种新型半导体材料技术研发。主持国家自然科学基金、云南省应用基础研究重点、教育部科学研究重点以及云南省重大科技计划专项子课题等重大科研任务16项。以第一和通讯作者发表高水平SCI论文90余篇，代表性论文刊登在Adv. Mater., J. Energy Chem., ACS Photonics, Small和Nano Lett.等国际顶级期刊上。作为副主编在高等教育出版社出版《光电功能材料与器件》教材1部；共获得中国发明专利授权17项。先后 4 次获得云南省科学技术奖励特等奖、一等奖和二等奖。入选云南省引进高层次人才、云南省中青年学术技术带头人、云南省万人计划和云南省产业创新人才，担任《红外技术》期刊青年编委、中国微米纳米技术学会以及中国材料研究学会的青年工作委员会理事。
单位简介
云南大学材料与能源学院建有国家光电子能源材料国际联合研究中心、云南省微纳材料与技术重点实验室、云南省先进能源材料国际联合研究中心、云南省碳中和绿色低碳技术重点实验室等10个国家级和省部级学术科研平台，在光功能材料与器件、稀贵金属与电磁材料、新能源器件与技术等方向的研发具有优势和特色。云南大学光电子与能源材料团队一直围绕非制冷探测材料与器件、Si基光电器件、钙钛矿太阳电池与探测器、III-V族晶片及红外探测材料开展研究，形成了一支富有创新力的研究团队，承担了多项国家自然科学基金项目和云南省重大科技专项项目，在光电材料和器件的研究方面分别获得了云南省科学技术奖自然科学类一、二、三等奖。
云南中科鑫圆晶体材料有限公司是一家专门生产低位错、高性能4-6英寸VGF法高效率太阳能电池用锗单晶片的国家级高新技术企业，已经成为国内外最稳定的锗衬底生产厂家之一。先后承担了国家科技部重大科技支撑计划、国家发改委电子信息产业振兴计划项目、云南省科技厅科技计划项目等国家和省部级重大科技项目。建成了年产4-6英寸50万片太阳能电池用锗晶片生产线，成功研制出8英寸高效太阳电池用锗单晶片。获得国家级专精特新“小巨人”、国家级“绿色工厂”荣誉，主持编制了4项的国家标准。项目产品突破国外关键技术封锁，实现了自主可控、进口产品国产化替代，解决了国家急需新材料的“卡脖子”问题。
报告前瞻
报告题目：GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究
报告摘要：GaSb与InAs因其高的光吸收系数和载流子迁移率以及易形成II型能带结构等特性，在光电探测器应用领域引起极大关注。然而，MBE和CVD法因制备的高成本限制了器件的应用。磁控溅射法作为物相沉积法具有高溅射速率、规模化、低成本的优点，对于GaSb基光电子器件应用具有广阔的潜力。由于GaSb与InAs薄膜的晶格常数相匹配，采用GaSb衬底进行InAs薄膜的外延可以极大幅度降低薄膜内的缺陷与位错数量。综上，本团队利用GaSb衬底晶格常数与InAs材料晶格常数相近的特点，通过磁控溅射法，制备了GaSb薄膜材料作为缓冲层，开展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究，通过分析生长参数对于GaSb薄膜结晶与退火晶化的影响，制备了高质量、均匀平整的GaSb薄膜。首次通过磁控溅射法在GaSb衬底表面外延出（111）取向的多晶InAs薄膜，通过探究InAs薄膜退火氧化效应的影响，采用磁控仪在衬底解析温度以制备出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共溅射法制备GaInAsSb薄膜，并研究了不同生长温度的影响。为磁控溅射法生长Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜开辟了新的研究途径。
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com
