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瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工装置专利，提高加工效率
 评论 ⋅  2025-02-26 17:17
报告前瞻|湖南三安半导体许志维：SiC MOSFET器件技术之发展与挑战
 评论 ⋅  2025-02-19 15:03
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-21 16:08
捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利，降低了开关损耗
 评论 ⋅  2024-08-15 16:08
华羿微电“新型功率MOSFET器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-07 09:31
华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-06 14:07
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-31 10:05
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-11 17:27
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-08 13:24
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
厦门大学张峰：新型沟槽SiC基MOSFET器件研究
 评论 ⋅  2023-12-26 15:37
国星光电SiC-MOSFET器件获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2023-10-24 10:30
意法半导体将为汽车T1厂博格华纳供应碳化硅MOSFET器件
 评论 ⋅  2023-09-05 21:14
中电科第五十五研究所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-08-01 16:51
西安卫光科技李朴：600V超结MOSFET器件研究
 评论 ⋅  2023-08-01 11:42
CASICON 2023前瞻 中电科55所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-07-13 11:24
银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产
 评论 ⋅  2022-12-21 15:07
新品 | 世纪金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-09-30 17:52
金刚石MOSFET器件最新成果！在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-04-25 10:43
MOSFET器件选型的3大法则
 评论 ⋅  2022-04-15 14:27
西安电子科技大学张艺蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
西安电子科技大学微电子学院教授张艺蒙SiC功率MOSFET器件可靠性
 评论 ⋅  2021-12-10 09:31
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-14 10:30
CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-10 09:45
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC MOSFET器件动态可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-03 15:30
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