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性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
CASICON西安前瞻| 中国科学院半导体研究所副研究员张连:GaN功率型HBT与毫米波HEMT研究进展
 评论 ⋅  2023-07-23 14:48
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
标准 | CASA立项《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
 评论 ⋅  2022-11-21 15:27
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-17 17:17
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
芯导科技：第三代半导体650VGaNHEMT产品预计今年可实现量产
 评论 ⋅  2022-09-27 17:05
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
Wolfspeed：GaN HEMT 大信号模型
 评论 ⋅  2022-08-23 10:55
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-07-20 15:48
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
 评论 ⋅  2022-04-11 16:58
河北半导体研究所高楠：国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
 评论 ⋅  2021-12-23 16:16
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
IFWS 2021前瞻：中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院半导体研究所副所长张韵亚毫米波段GaN基HEMT
 评论 ⋅  2021-11-22 15:53
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺：基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯：硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 09:51
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度
英飞凌第三代半导体器件MOSFETSiCMOSFETSiC模块GaNHEMTIGBT
 评论 ⋅  2021-08-11 15:39
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