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芯聚能自主碳化
硅
主驱芯片成功搭载整车,树立国产车规功率半导体新标杆!
钧联电子完成近亿元A轮融资,用于建设碳化
硅
功率模块产线
采用碳化
硅
革新电力电子技术,开拓可持续解决方案
从8英寸量产到12英寸突破!合盛
硅
业全链条攻克SiC核心技术再攀高峰!
Wolfspeed拟申请破产后,瑞萨解散碳化
硅
团队!
两大巨头退出碳化
硅
市场 环球晶、汉磊、嘉晶迎转单
全国最大碳化
硅
晶圆厂在光谷投产,每年可为144万辆新能源车供应“心脏”
瀚薪科技浙江丽水碳化
硅
封测项目主体结构封顶
A-STAR推出全球首个工业级200毫米碳化
硅
开放研发生产线
国产碳化
硅
企业基本半导体,递表港交所!
瀚薪科技浙江丽水碳化
硅
封测项目主体结构封顶
CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话
硅
、碳化
硅
器件及其他高压功率器件新进展!
派恩杰“一种碳化
硅
晶圆衬底的制备方法及碳化
硅
晶圆衬底”专利公布
总投资55亿!碳化
硅
产业园项目落地内蒙古
沪
硅
产业披露重组草案,70.4亿收购三公司股权
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用
硅
衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行:碳化
硅
功率MOSFET关键技术新进展
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕:基于金刚石/碳化
硅
新型异质散热结构的器件应用研究
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇:碳化
硅
功率器件空间电荷补偿技术
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆:基于正向压降表征的碳化
硅
MOSFET结温测量方法研究
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇:破界·赋能·引领——化学气相法碳化
硅
衬底技术创新开启未来产业新纪元
中国科学院微电子所在碳
硅
三维异质集成器件上取得进展
基本半导体推出新一代碳化
硅
MOSFET
临港公示新昇半导体300mm
硅
片项目设计方案
高纯
硅
粉制备氮化
硅
陶瓷
总投资8.5亿元,光电子集成高端
硅
基晶圆制造中心项目封顶
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用
硅
衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化
硅
VDMOS及其制备方法”专利公布
Polar与瑞萨电子达成
硅
基氮化镓技术授权协议
投资3.9亿元,同光科技年产7万片碳化
硅
单晶衬底项目
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