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2025云南晶体大会前瞻| 富加镓业陈端阳：氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展
 评论 ⋅  2025-09-12 11:37
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学陶鸿昌：氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:48
镓仁半导体8英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓，国际领先！
 评论 ⋅  2025-09-05 09:24
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在金刚石基氧化镓热管理领域 取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-09-01 09:04
总投资16.8亿元，氧化镓高频滤波器芯片生产项目主体建筑封顶！
 评论 ⋅  2025-07-23 09:40
东京大学研发“掺镓氧化铟晶体”取代硅材料
 评论 ⋅  2025-06-30 13:35
镓仁半导体实现晶圆级6英寸斜切氧化镓衬底制备
 评论 ⋅  2025-06-25 09:52
国家重点研发计划“氧化镓单片功率电子集成器件研究”项目启动会暨实施方案论证会成功召开
 评论 ⋅  2025-06-20 09:34
浙江大学团队多项碳化硅、氧化镓相关研究成果闪耀IEEE ISPSD 2025
 评论 ⋅  2025-06-16 09:34
新突破︱镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
 评论 ⋅  2025-06-11 10:49
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
广州拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产
 评论 ⋅  2025-05-28 09:41
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手，推动氧化镓应用
 评论 ⋅  2025-05-16 16:51
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
九峰山实验室推氧化镓科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
 评论 ⋅  2025-04-18 23:35
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世｜杭州镓仁邀您SEMICON见证半导体产业新突破
 评论 ⋅  2025-03-25 11:26
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶，开启第四代半导体氧化镓新时代
 评论 ⋅  2025-03-05 16:44
镓仁半导体董事长张辉：大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 16:48
CASICON重庆站：全面聚焦氮化镓、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:39
研制成功！我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-28 09:30
新突破|镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
 评论 ⋅  2025-02-13 10:51
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
 评论 ⋅  2025-02-11 09:20
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2025-01-09 17:12
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-30 15:35
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
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