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新突破︱镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
 评论 ⋅  2025-06-11 10:49
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
广州拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产
 评论 ⋅  2025-05-28 09:41
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手，推动氧化镓应用
 评论 ⋅  2025-05-16 16:51
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
九峰山实验室推氧化镓科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
 评论 ⋅  2025-04-18 23:35
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世｜杭州镓仁邀您SEMICON见证半导体产业新突破
 评论 ⋅  2025-03-25 11:26
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶，开启第四代半导体氧化镓新时代
 评论 ⋅  2025-03-05 16:44
镓仁半导体董事长张辉：大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 16:48
CASICON重庆站：全面聚焦氮化镓、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:39
研制成功！我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-28 09:30
新突破|镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
 评论 ⋅  2025-02-13 10:51
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
 评论 ⋅  2025-02-11 09:20
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2025-01-09 17:12
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-30 15:35
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
 评论 ⋅  2024-12-26 14:22
长光华芯“一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-26 09:16
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
张道华院士：超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究
 评论 ⋅  2024-12-06 15:12
杭州镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
 评论 ⋅  2024-11-29 09:51
深圳平湖实验室在氧化镓理论研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-11-11 15:08
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