新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
芯
半导体
中国
华为
氮化镓
第三代半导体
半导体产业
光刻机
首页
新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
武汉大学袁超课题组在超宽禁带
氧化
镓热输运领域最新研究进展
宁波材料所研发
氧化
镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
镓和半导体展示多规格
氧化
镓单晶衬底并首次公开发布4英寸(100)面单晶衬底参数
厦门大学张洪良和上海光机所齐红基团队在深紫外透明导电Si掺杂
氧化
镓异质外延薄膜研究取得进展
西安电子科技大学郝跃院士团队:
氧化
镓功率器件研究成果
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体
氧化
镓功率器件领域取得研究进展
厦门大学张洪良团队在
氧化
镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
重点研发“卡脖子”项目,同济大学
氧化
镓材料项目签约江苏无锡
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化
镓纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化
镓纵向FinFET
厦门大学张洪良团队在宽禁带
氧化
镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
南京邮电大学
氧化
镓创新中心(IC-GAO)
氧化
镓日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
山东大学陶绪堂教授团队提出一种新型
氧化
物X射线探测材料的设计思路
厦大研究团队在高灵敏、自供电
氧化
镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
中国科大龙世兵课题组研制出
氧化
镓垂直槽栅场效应晶体管
北京大学在
氧化
物半导体器件方向取得系列重要进展
简述氮化镓晶格排列
氧化
氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
中国科大在
氧化
镓半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
氧化
镓晶圆衬底技术获突破!
宽禁带
氧化
镓半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
氧化
镓单晶生长与性能分析
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二
氧化
钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化
镓晶体
一文读懂
氧化
镓半导体
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化
镓二极管并首次在
氧化
镓中实现空穴超注入效应
外媒:日企将大规模量产
氧化
镓器件
复旦大学卢红亮课题组在柔性
氧化
镓光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
西安交大在
氧化
物薄膜外延领域取得重要进展
中国科大在
氧化
镓功率电子器件领域取得重要进展
华中科技大学黄亮课题组提出膨化制备超薄
氧化
物新策略
第
1
页/共
2
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部