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同济大学第四代半导体
氧化
镓材料项目签约无锡高新区
同济大学第四代半导体
氧化
镓材料项目落地江苏省无锡市高新区
同济大学
第四代
半导体
氧化镓
材料
项目
江苏省
无锡市高新区
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化
镓纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化
镓纵向FinFET
厦门大学张洪良团队在宽禁带
氧化
镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
厦门大学教授张洪良:
氧化
镓薄膜外延及电子结构研究
南京邮电大学
氧化
镓创新中心(IC-GAO)
氧化
镓日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
CASICON 2023长沙站:氮化镓、
氧化
镓及其他新型半导体技术进展探讨
山东大学陶绪堂教授团队提出一种新型
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物X射线探测材料的设计思路
镓仁半导体完成数千万天使轮融资,加速
氧化
镓中试线研发等
厦大研究团队在高灵敏、自供电
氧化
镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
闻泰科技:已布局第三代化合物半导体 暂无
氧化
镓相关产品
闻泰科技:已布局第三代化合物半导体,暂无
氧化
镓相关产品
国内首批!铭镓半导体实现4英寸
氧化
镓晶圆衬底技术突破
敏源传感的氮
氧化
物调理芯片MY9706通过车规级HTOL认证
国内第一!中国电科46所成功制备6英寸
氧化
镓单晶
中国首颗6英寸
氧化
镓单晶成功制备,第四代半导体呼啸而来
招聘:中科院宁波材料所
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物半导体方向诚聘副研究员和博士后
中国科大龙世兵课题组研制出
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镓垂直槽栅场效应晶体管
北京大学在
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物半导体器件方向取得系列重要进展
简述氮化镓晶格排列
氧化
氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
中国科大在
氧化
镓半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
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镓晶圆衬底技术获突破!
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸
氧化
镓晶圆衬底技术突破
宽禁带
氧化
镓半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
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镓单晶生长与性能分析
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二
氧化
钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化
镓晶体
一文读懂
氧化
镓半导体
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化
镓二极管并首次在
氧化
镓中实现空穴超注入效应
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