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日企将大规模量产
氧化
镓器件
外媒:日企将大规模量产
氧化
镓器件
A 轮融资近亿元!铭镓半导体将建国内首条
氧化
镓完整产业线
复旦大学卢红亮课题组在柔性
氧化
镓光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
西安交大在
氧化
物薄膜外延领域取得重要进展
一文了解第四代半导体材料
氧化
镓(Ga2O3)
中国科大在
氧化
镓功率电子器件领域取得重要进展
华中科技大学黄亮课题组提出膨化制备超薄
氧化
物新策略
中国研发再突破!15亿美元的
氧化
镓市场如何引发多国博弈?
第四代半导体
氧化
镓,浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸
氧化
镓晶圆
未来10年左右,
氧化
镓器件或成为有竞争力的电力电子器件
日本团队合作开发出高品质第三代100mm
氧化
镓外延片
氧化
镓功率半导体6英寸新突破,成本有望大降
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上
氧化
镓成膜成功
HVPE法
6英寸
晶片
氧化镓
成膜
西电周弘教授:超宽禁带半导体材料
氧化
镓器件最新研究进展
上海硅酸盐所在自发凝固成型制备大尺寸/复杂形状高纯
氧化
铝部件方面取得新进展
国际首次 | β相
氧化
镓功率品质因子国际首次超越SiC理论极限
Novel Crystal Technology宣布开发出世界第一款安培级1200 V耐压的“
氧化
镓肖特基势垒二极管”
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING:对抗氮化镓和碳化硅的
氧化
镓功率器件Ga2O3
大连理工大学王德君教授:SiC MOS器件
氧化
后退火新途径--低温再
氧化
退火技术
大连理工大学
王德君教授
SiC
MOS器件
氧化后
退火
低温再氧化
退火技术
中科大在日盲紫外探测领域取得新进展
中国科学技术大学
微电子学院
龙世兵教授课题组
氧化镓
日盲探测器
研究
郑州大学物理学院在
氧化
镓基日盲光电探测方面取得进展
郑州大学
物理学院
氧化镓基
日盲光电探测
下一代半导体:越走越“宽”,还是越“窄”?
半导体
氧化镓
金刚石
氮化铝镓
窄带半导体
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:
氧化
镓功率器件制备与封装技术
【CASICON 2021】南京大学叶建东:
氧化
镓双极型异质结功率器件研究
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵:低成本高性能
氧化
镓功率器件
CASICON 2021前瞻:低成本高性能
氧化
镓半导体功率电子器件
CASICON 2021前瞻:
氧化
镓基双极型异质结功率器件研究
浙大杭州科创中心获得首批
氧化
镓单晶衬底
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