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2025云南晶体大会前瞻| 富加镓业陈端阳：氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展
 评论 ⋅  2025-09-12 11:37
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学陶鸿昌：氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:48
2025云南晶体大会前瞻|厦门大学卢卫芳：GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED器件制备研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:45
2025云南晶体大会前瞻|中电科第四十八研究所谢添乐：宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案
 评论 ⋅  2025-09-10 15:51
2025云南晶体大会前瞻|云南大学杨杰：III-V族和IV族半导体晶片及其外延材料的缺陷溯源分析
 评论 ⋅  2025-09-10 15:34
2025云南晶体大会前瞻|天科合达刘春俊：大尺寸碳化硅衬底和外延产业进展
 评论 ⋅  2025-09-10 15:17
2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所杨晓光：硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展
 评论 ⋅  2025-09-03 15:10
标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
 评论 ⋅  2025-08-29 13:56
48所深耕化合物半导体领域，持续扩大外延设备应用领域
 评论 ⋅  2025-07-31 15:56
广州粤升8英寸SiC外延设备完成研发并出货
 评论 ⋅  2025-07-29 15:59
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、功率器件用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2025-07-21 14:30
纳设智能全自动双腔8英寸碳化硅外延设备交付！
 评论 ⋅  2025-07-09 19:56
外延设备新高度！北方华创化合物外延设备引领市场热潮
 评论 ⋅  2025-07-01 11:55
国产突破！无锡先为科技首台GaN MOCVD外延设备成功发货
 评论 ⋅  2025-06-18 08:19
晶盛机电旗下求是创芯12英寸常压硅外延设备顺利交付
 评论 ⋅  2025-06-17 15:30
上海合晶：正推进12英寸55纳米CIS外延片量产
 评论 ⋅  2025-06-06 08:00
上海合晶正推进12英寸55纳米CIS外延片量产
 评论 ⋅  2025-06-05 17:33
广州拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产
 评论 ⋅  2025-05-28 09:41
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
华润微电子：润新微电子外延生产基地建成
 评论 ⋅  2025-05-19 07:40
意见征集 | 北大光电院牵头的异质外延氮化镓外延层厚度测试方法标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-07 11:32
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利，可提高碳化硅外延片质量
 评论 ⋅  2025-04-11 16:30
碳化硅外延供应商瀚天天成冲刺港交所
 评论 ⋅  2025-04-09 14:51
晶湛半导体发布第二代Full Color GaN®全彩系列外延片，携ZDP™平台助力AR眼镜商业化进程
 评论 ⋅  2025-04-08 20:39
助力科技中国战略！盖泽参编的《埋层硅外延片》GB国家标准正式实施
 评论 ⋅  2025-03-13 07:39
瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片厂房建设完成，设备购置将在3月收官
 评论 ⋅  2025-03-10 14:54
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
总投资12.3亿元，立昂微年产96万片12英寸硅外延片项目落地
 评论 ⋅  2025-02-24 14:42
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