首页 > 新闻资讯 > 搜索
新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-19 11:45
总投资12.3亿，立昂微年产96万片12英寸硅外延片生产项目落户
 评论 ⋅  2025-02-19 10:20
突破！国产SiC外延设备首次大规模发货！
 评论 ⋅  2025-02-11 09:15
全磊光电化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目开工
 评论 ⋅  2025-01-14 14:58
全磊光电化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目开工
 评论 ⋅  2025-01-14 08:16
《异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法》CSA团体标准第一次讨论会召开
 评论 ⋅  2025-01-08 14:31
天域半导体取得水平气流SiC外延设备石英钟罩内壁清洁工具专利，能够保证石英钟罩的清洁效果符合炉膛反应需求
 评论 ⋅  2025-01-03 10:45
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
北京智慧能源研究院SiC外延片公开招标采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2024-12-26 16:44
唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目竣工投产
 评论 ⋅  2024-12-23 16:36
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
北京大学沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件——IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-25 14:32
晶盛机电：8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售，12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户
 评论 ⋅  2024-11-06 14:31
【IFWS2024】 碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-05 16:32
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
晶盛机电8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售
 评论 ⋅  2024-10-28 16:37
芯联集成“外延设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-23 15:34
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
广东中科半导体微纳制造技术研究院外延平台高纯液氨采购项目(二次)招标公告
 评论 ⋅  2024-09-18 11:55
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
国创中心联合研发中心逐步发力，“超高性能同质外延Micro-LED”取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-09 17:37
中国电科48所8英寸碳化硅外延设备获升级
 评论 ⋅  2024-09-06 18:11
西安奕斯伟材料申请用于外延设备的处理方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:58
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
晶盛机电：12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，ALD设备处于验证阶段
 评论 ⋅  2024-08-29 11:33
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
普兴电子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目环评第二次公示
 评论 ⋅  2024-08-23 16:03
天域半导体碳化硅外延项目即将试产
 评论 ⋅  2024-08-14 14:52
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部