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国创中心联合研发中心逐步发力,“超高性能同质
外延
Micro-LED”取得新突破
中国电科48所8英寸碳化硅
外延
设备获升级
西安奕斯伟材料申请用于
外延
设备的处理方法专利
瀚天天成“一种降低碳化硅
外延
片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
晶盛机电:12英寸硅减压
外延
生长设备顺利实现销售出货,ALD设备处于验证阶段
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利,提高半导体
外延
层的性能
普兴电子6英寸低密度缺陷碳化硅
外延
片产业化项目环评第二次公示
天域半导体碳化硅
外延
项目即将试产
北京理工大学团队在杂化范德华
外延
生长研究方向取得重要突破
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件
外延
设计结构专利,降低功率器件制造成本
8英寸碳化硅垂直腔
外延
设备为什么这么热?
宁波晶钻同质
外延
单晶金刚石再次突破3.35英寸
香港首个第三代半导体氮化镓
外延
工艺研发中心将成立
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI
外延
片采购公开招标公告二次
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI
外延
片采购公开招标公告
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅
外延
、芯片项目
CASICON晶体大会前瞻|才道精密仪器马观岚:SiC/GaN衬底和
外延
片检测设备国产化
CASICON晶体大会前瞻|中国电子科技集团第五十五研究所李赟:碳化硅
外延
如何协同器件发展
CASICON晶体大会前瞻|中国电科第十三研究所芦伟立:面向特种器件应用的SiC多层超厚
外延
进展及机遇
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波:AlN单晶衬底和
外延
薄膜的制备
安徽晶隆年产630万片含SiC
外延
材料项目封顶
安意法半导体8英寸碳化硅
外延
、芯片项目(生活服务设施区)全面封顶,8月将实现点亮投产
总投资55亿,晶隆半导体
外延
材料产业园EPC项目封顶
晶盛机电:在功率半导体领域,先后成功研发8英寸及12英寸常压硅
外延
生长设备并实现销售
CASICON晶体大会前瞻|山东华光:高功率半导体激光器核心
外延
材料及芯片研究进展
总投资超14亿元,麦斯克电子年产360万片8英寸硅
外延
片项目封顶
能华半导体张家港制造中心(二期)项目动工,将新建6英寸GaN
外延
片产线
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料
外延
和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
百识电子完成A+轮融资,加速耐高压、大尺寸第三代半导体
外延
布局
晶盛机电:6英寸碳化硅
外延
设备实现批量销售且订单量快速增长
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