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芯联集成“沟槽型功率
器
件结构及其制造方法”专利公布
长飞先进与怀柔实验室签署碳化硅功率
器
件成果合作转化意向协议
中晶科技:已在国内分立
器
件用单晶硅棒、研磨硅片以及半导体功率芯片及
器
件领域占据领先的市场地位
华润微:重庆12吋产线聚焦功率
器
件 预计下半年可实现满产
英飞凌144亿工厂落成,8英寸碳化硅
器
件年底量产
华光光电申请一种大功率半导体激光
器
晶圆P面图形化电镀金的方法专利
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET
器
件及制备方法”专利获授权
忆芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制
器
及方法”专利获授权
总投资超4亿元,百事联电子元
器
件产品建设项目在厦门海沧开工
全球最高功率密度!纳微全新4.5kW服务
器
电源方案正式发布
总投资90亿元,莱宝高科湖州微腔电子纸显示
器
件项目开工
芯联集成“半导体
器
件的制备方法及半导体
器
件”专利获授权
致元
器
件采购商们的一封信
星曜半导体:推出世界最小尺寸双工
器
芯片
南芯科技发布支持跛行模式的车规级8通道半桥驱动
器
北科大与新紫光共同开展二维半导体材料与
器
件产学研合作
高可靠性高功率半导体
器
件IDM项目在宜兴签约 总投资约30亿元
投资4900万元,拓普泰克智能控制
器
研发中心落地西咸新区
总投资约30亿!宜兴又签约一项功率半导体
器
件项目
中国科学院化学研究所董焕丽课题组在高偏振紫外日盲有机光探测
器
方面取得新进展
英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体
器
件及其制造方法”专利获授权
中芯集成-U 申请 MEMS
器
件及其制备方法专利,避免大量自由电荷堆积在振膜中
CASAS SiC功率
器
件与模块工作组第二次会议成功召开
芯聚能“碳化硅MOSFET
器
件及其制备方法”专利公布
清纯半导体“半导体功率
器
件及其制备方法”专利公布
芯聚能“碳化硅MOSFET
器
件及其制备方法”专利公布
复旦大学IGBT功率循环测试仪
器
(第二次)国际招标公告
三安半导体“氮化镓功率
器
件的制备方法、氮化镓功率
器
件”专利公布
广州增芯科技12英寸先进智能传感
器
及特色工艺晶圆制造产线项目成功通线
中车中低压功率
器
件产业化(株洲)项目桩基建设启动 总投资52.9亿元
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