联合微电子中心取得一种半导体器件专利,提升半导体器件性能

日期:2024-11-09 阅读:263
核心提示:国家知识产权局信息显示,联合微电子中心有限责任公司取得一项名为一种半导体器件的专利,授权公告号CN 221960980 U,申请日期为

国家知识产权局信息显示,联合微电子中心有限责任公司取得一项名为“一种半导体器件”的专利,授权公告号CN 221960980 U,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件,其特征在于:衬底,衬底具有第一导电类型;第一层,第一层位于衬底上方;第一区域,第一区域位于第一层上方,并且;第二区域,第二区域位于第一区域上方;第三区域,第三区域位于第一层上方、以及在第一区域和第二区域的一侧;漏极区域,漏极区域位于第二区域中;源极区域,源极区域位于第三区域中;栅极隔离体,栅极隔离体嵌入在第二区域中,并且,栅极隔离体位于源极区域与漏极区域之间;第一栅极,第一栅极位于第二区域和第三区域上方、以及源极区域与栅极隔离体之间;以及第二栅极,第二栅极包括在栅极隔离体上方的第一部分。

 

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