随着技术的不断进步，SiC IGBT器件的封装材料进一步优化，以满足更严苛的应用需求，推动电力电子装备向高效化、小型化方向发展。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间，“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，北京康美特科技股份有限公司研发总监庞凯敏带来了“高可靠性碳化硅基IGBT器件封装材料”的主题报告，分享了灌封材料的性能要求、灌封材料的选择、环氧灌封胶设计等内容。
庞凯敏
北京康美特科技股份有限公司研发总监
碳化硅IGBT器件灌封材料的选择对其性能和寿命有着至关重要的影响。高功率密度需求催生封装材料和工艺不断选代。高可靠性IGBT灌封胶具有耐高温、耐高压、机械强度-高低温循环等性能要求。报告显示，环氧灌封胶设计技术难点涉及低膨胀系数与低模量间难以平衡的矛盾，高填充体系的高黏度难题，高填充材料普遍面临粘接强度不足的挑战。为了提高环氧灌封胶的韧性，可以在环氧机体中引入增韧剂，或通过分子结构设计引入柔性链段。
提高热灌封胶的热导率，有利于将热量从芯片等器件导出，提高散热效率，确保IGBT的温度控制和性能稳定。提高环氧灌封材料导热性能，在不影响工艺性和可靠性的前提下，尽可能多的添加合适的导热填料。
报告指出，通过材料结构和组成优化，设计制备出可以满足现有SiC功率器件灌封用的环氧树脂灌封胶。SiC功率器件用的环氧灌封胶的耐热性和耐高低温冲击等性能，有待进一步提升。
(根据现场资料整理，仅供参考)
