芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布

日期:2024-11-08 阅读:250
核心提示:天眼查显示,上海芯导电子科技股份有限公司一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法专利公布,申请公布日为2024年10月

天眼查显示,上海芯导电子科技股份有限公司“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布,申请公布日为2024年10月11日,申请公布号为CN118763074A。

本发明的技术方案提供了一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法,通过在所述第一区域内设置依次排布的所述第一P型掺杂区和所述第一N型掺杂区,以构成二极管;通过在所述第二区域内设置依次排布的所述第二P型掺杂区、所述第四N型掺杂区、所述第二N型掺杂区、所述第五N型掺杂区和所述第三P型掺杂区,以构成SCR器件;通过在所述第三区域内设置依次排布的所述第三N型掺杂区和所述第四P型掺杂区,以构成二极管。基于上述技术手段,使静电防护结构集成了二极管和SCR结构,从而降低静电防护结构在大电流下的钳位电压。同时,因为集成的二极管和SCR结构形成对称结构,所以可以忽视所述第一电极和所述第二电极的正反接。

 

打赏
联系客服 投诉反馈  顶部