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中国科大首次实现基于碳化
硅
中
硅
空位色心的高压原位磁探测
国际首次!科研团队在基于碳化
硅
硅
空位色心的高压原位磁探测研究方面取得突破
国内首家!厦门大学实现8英寸碳化
硅
外延生长
台湾中山大学突破6英寸碳化
硅
晶体生长!
简述SiC碳化
硅
单晶的生长原理
简述碳化
硅
功率器件封装的三个关键技术
俄亥俄州立大学的碳化
硅
MOSFET可靠性研究之短路能力
上海微系统所在碳化
硅
异质集成材料与光子器件领域取得进展
浅谈碳化
硅
寿命中的挑战
硅
基氮化镓Micro-LED,实现高速可见光通信信号探测
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的
硅
衬底GaN基纵向功率器件
东风汽车碳化
硅
功率模块将于2023年实现量产
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化
硅
层错难题
复旦大学研究团队合作发明晶圆级
硅
基二维互补叠层晶体管
上海微系统所在
硅
基碳化
硅
异质集成XOI材料领域取得重要进展
简述碳化
硅
SIC器件在工业应用中的重要作用
长平时代发布用于车载电子的900V
硅
基氮化镓外延片
碳化
硅
单晶薄膜制备技术及集成光子应用技术进展
简述碳化
硅
功率器件封装关键技术
高压碳化
硅
器件封装国内外研究进展
碳化
硅
单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶
硅
纳米线可靠生长集成
WOLFSPEED:使用碳化
硅
进行双向车载充电机设计
湖南三安发布最新1200V碳化
硅
MOSFET系列,包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
自研基于 6 寸碳化
硅
晶圆的 6.5kV MOSFET功率模块测试分析
【成果转化】6 英寸 650V-1200V 碳化
硅
外延片---产业基础领域先进技术产品转化应用目录 (推广篇)(2021年度)》
上海微系统所信息功能材料国家重点实验室团队发布碳化
硅
单晶薄膜制备技术及集成光子应用综述
上海微系统所等实现
硅
基异质集成的片上量子点发光
浙江大学50 mm厚6英寸碳化
硅
单晶生长获得成功
超芯星6英寸碳化
硅
衬底进入美国高端市场
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