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IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│瞻芯电子曹峻：碳化硅车载功率转换解决方案
 评论 ⋅  2023-12-12 10:45
广州粤升液相法SiC单晶炉批量出货
 评论 ⋅  2023-12-12 08:43
投资15亿！吉盛微武汉碳化硅制造基地启用
 评论 ⋅  2023-12-11 19:11
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS 2023│加拿大Crosslight首席研发专家Ahmed NASHED：基于半导体激光器件的高级光学建模与仿真
 评论 ⋅  2023-12-11 15:24
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产
 评论 ⋅  2023-12-11 11:27
IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
晶湛半导体完成数亿元C+轮融资
 评论 ⋅  2023-12-08 19:57
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
IDC预测2024年全球半导体市场八大预测
 评论 ⋅  2023-12-08 11:34
英杰电气射频电源总订单超9000万！
 评论 ⋅  2023-12-08 11:28
东芝和罗姆将合作生产功率半导体 日本政府补贴8.3亿美元
 评论 ⋅  2023-12-08 11:24
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
NEC全彩LED恒晶屏点亮文献资料研究馆
 评论 ⋅  2023-12-07 15:57
IFWS 2023│南京大学修向前：基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-07 15:51
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│厦门大学黄凯：显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展
 评论 ⋅  2023-12-07 14:33
MACOM完成收购Wolfspeed射频业务
 评论 ⋅  2023-12-07 14:23
利用激光垂直剥离突破碳化硅SiC切割成本与效率，晶飞半导体获数千万元天使轮融资
 评论 ⋅  2023-12-07 14:18
中微公司荣获​上海市首批创新型企业总部授牌
 评论 ⋅  2023-12-07 14:17
意法半导体将斥资50亿欧元在意大利新建SiC晶圆厂
 评论 ⋅  2023-12-07 14:04
正式投产！广州青蓝半导体有限公司IGBT投产仪式圆满举行
 评论 ⋅  2023-12-07 13:51
SSLCHINA2023│芯颖显示谢相伟：Micro-LED显示关键技术突破
 评论 ⋅  2023-12-07 11:23
SSLCHINA2023│长虹电子陈宁:Micro LED新型投影显示技术展望
 评论 ⋅  2023-12-07 11:21
博世与苏州工业园区签署扩大产业合作协议
 评论 ⋅  2023-12-07 11:08
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