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复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:24
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
闻泰科技：安世半导体的产品主要包括Mosfet、逻辑与晶体管等
 评论 ⋅  2022-09-19 16:38
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
重磅！3.5亿个晶体管，国内集成电路领域再突破
 评论 ⋅  2022-05-20 16:51
二维半导体环栅晶体管和垂直互补晶体管的阵列验证
 评论 ⋅  2022-05-13 09:15
应用材料推出CVD升级技术 以支持GAA晶体管结构
 评论 ⋅  2022-04-22 10:42
天津大学李立强教授课题组：有机晶体管新进展—实现五年长寿命
 评论 ⋅  2022-03-30 15:01
南京大学 | 基于MoS2-BN-Graphene范德华异质结的多功能半浮栅晶体管
 评论 ⋅  2022-03-23 15:25
800亿晶体管，20块GPU 今年GTC大会上黄仁勋继续大秀“AI肌肉”
 评论 ⋅  2022-03-23 10:14
芯片上的突破！清华制成世界上栅极长度最小晶体管
 评论 ⋅  2022-03-21 16:16
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
阿里平头哥发布自研云芯片: 5nm工艺、600亿晶体管
 评论 ⋅  2021-10-19 17:44
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
 评论 ⋅  2021-09-18 17:55
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET
 评论 ⋅  2021-09-15 15:58
尺寸小于1纳米，中科院物理所单分子晶体管器件新突破
 评论 ⋅  2021-04-19 20:25
CFET结构晶体管有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
 评论 ⋅  2021-03-11 11:11
台积电：3nm进度超前，2nm将转向GAA晶体管
台积电3nm2nmGAA晶体管
 评论 ⋅  2021-02-19 09:24
意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品
 评论 ⋅  2021-01-20 16:11
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
台积电和Graphcore准备合作研发3nm AI加速芯片
积电晶体管节点芯片工艺处理器
 评论 ⋅  2020-08-28 01:52
格芯赢得AI芯片业务
功耗晶体管电压设计芯片单元
 评论 ⋅  2020-08-20 08:08
Transphorm的第二款900 V GaN FET现已投入生产
功率氮化器件晶体管伊利诺伊封装
 评论 ⋅  2020-08-19 05:52
世界最大AI处理器升级7nm工艺：85万核心、2.6万亿晶体管
芯片核心晶体管加速卡翻倍面积
 评论 ⋅  2020-08-19 01:52
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