应用材料推出CVD升级技术 以支持GAA晶体管结构

日期:2022-04-22 来源:集微网阅读:272
核心提示:应用材料推出了Stensar化学气相沉积(CVD)技术,作为进一步使用EUV光刻技术进行二维缩放的一种方法,并支持栅极全方位晶体管的形成。Stensar是先进的EUV图案薄膜,替代自旋图案薄膜。
应用材料推出了Stensar化学气相沉积(CVD)技术,作为进一步使用EUV光刻技术进行二维缩放的一种方法,并支持栅极全方位晶体管的形成。Stensar是先进的EUV图案薄膜,替代自旋图案薄膜。
 



据报道,由于EUV抗蚀剂的性质,芯片图案需要通过一系列中间层(称为转移层和硬掩膜)蚀刻,然后才能最终蚀刻到晶圆上。到目前为止,这些层都是利用自旋技术沉积的。
 
与自旋图案薄膜相比,应用材料的Stensar CVD薄膜可帮助客户调整EUV硬掩膜层的特定厚度和蚀刻弹性,从而优化整个晶圆上的EUV图案传输均匀性。
 
应用材料还宣布其Sym3蚀刻设备能够在同一腔室中蚀刻和沉积材料的能力,这将有助于在将材料蚀刻到晶圆中之前改善EUV图案。改进的EUV图案增加了产率,提高了芯片的功率和性能。
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