近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，中山大学黎城朗分享凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究的最新进展。
在这项工作中，对GaN纵向沟槽MOSFET的凹槽深度参数进行了系统研究，以进一步改善器件的导通特性。通过仿真探究了凹槽相对pGaN层的位置对导通时沟道下方漂移区的耗尽层势垒峰的影响，以及对器件转移特性、输出特性和耐压特性的影响。
结果表明，凹槽深度的增加，可以削弱漂移区耗尽层势垒峰对导电通道的影响，使凹槽下方纵向导电通道展宽，减小导通电阻，而阈值电压基本不变。在器件设计时，需折中考虑凹槽深度增加导致的纵向导电通道展宽与迁移率低下的凹槽界面积累区长度的增加对导通电阻的影响。这项仿真研究对高性能GaN纵向导通槽栅器件结构设计具有一定的指导作用。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
