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国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
投资5亿元，世拓新材料高性能光学和集成电路高分子材料项目签约落户张家港
 评论 ⋅  2025-04-02 19:05
华北电力大学压接型IGBT功率循环及性能测试试验平台采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2025-03-24 17:42
总投资2亿元！江苏长光时空高性能激光芯片项目投产
 评论 ⋅  2025-03-14 09:20
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
 评论 ⋅  2025-02-19 09:28
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
Science：AI驱动闭环设计，加速高性能有机半导体材料发现
 评论 ⋅  2024-12-23 11:59
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
总投资310亿元，星柯先进光电显示产业项目高性能载板一号厂房主体封顶
 评论 ⋅  2024-10-09 14:53
北京大学深圳研究生院在高性能低维柔性电子集成方向取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-08 09:01
左蓝微电子高性能5G射频滤波器项目启动
 评论 ⋅  2024-09-24 21:13
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
国创中心联合研发中心逐步发力，“超高性能同质外延Micro-LED”取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-09 17:37
江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能
 评论 ⋅  2024-09-03 10:56
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
英飞凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模块，适用于功率高达 4 千瓦的工业电机驱动器
 评论 ⋅  2024-08-13 10:53
光谷实验室研发出高性能量子点光刻胶
 评论 ⋅  2024-08-12 18:01
左蓝微电子完成亿元B+轮融资，持续打造射频滤波器性能新高度
 评论 ⋅  2024-08-08 10:22
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
美国投资14亿美元研发高性能Chiplet
 评论 ⋅  2024-07-22 10:08
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
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