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2025云南晶体大会前瞻|云南大学王茺：GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究
 评论 ⋅  2025-09-09 11:18
2025云南晶体大会前瞻|云南大学邱锋：晶体本征缺陷的理论研究及晶片表面非故意缺陷的性能调控
 评论 ⋅  2025-09-08 17:17
深圳大学宽禁带半导体功率器件刘新科研究员团队：通过PEALD-GaOₓ界面工程实现高性能垂直氮化镓MOS电容器
 评论 ⋅  2025-09-05 09:11
2025云南晶体大会前瞻| 昆明理工大学邓家云:磷化铟晶圆力学性能与加工性能研究
 评论 ⋅  2025-09-03 15:08
碳化硅功率器件的性能与应用前景-国晶微半导体
 评论 ⋅  2025-09-02 18:26
北京大学许福军、沈波团队成功实现高性能中波紫外发光器件制备
 评论 ⋅  2025-08-11 20:09
陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体生产线计划9月份通线试生产
 评论 ⋅  2025-07-22 11:58
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
 评论 ⋅  2025-07-22 08:26
深圳平湖实验室在SiC激光剥离技术领域取得新进展，性能指标达到国际先进水平
 评论 ⋅  2025-07-08 15:32
CHIPX首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆下线，110GHz带宽高性能薄膜铌酸锂调制器芯片实现量产
 评论 ⋅  2025-06-09 08:26
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
艾迈斯欧司朗进一步优化红外激光产品，树立3D传感性能标杆
 评论 ⋅  2025-06-06 13:46
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼：1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究
 评论 ⋅  2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
投资5亿元，世拓新材料高性能光学和集成电路高分子材料项目签约落户张家港
 评论 ⋅  2025-04-02 19:05
华北电力大学压接型IGBT功率循环及性能测试试验平台采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2025-03-24 17:42
总投资2亿元！江苏长光时空高性能激光芯片项目投产
 评论 ⋅  2025-03-14 09:20
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
 评论 ⋅  2025-02-19 09:28
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
Science：AI驱动闭环设计，加速高性能有机半导体材料发现
 评论 ⋅  2024-12-23 11:59
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
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