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英飞凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模块，适用于功率高达 4 千瓦的工业电机驱动器
 评论 ⋅  2024-08-13 10:53
光谷实验室研发出高性能量子点光刻胶
 评论 ⋅  2024-08-12 18:01
左蓝微电子完成亿元B+轮融资，持续打造射频滤波器性能新高度
 评论 ⋅  2024-08-08 10:22
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
美国投资14亿美元研发高性能Chiplet
 评论 ⋅  2024-07-22 10:08
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
青禾晶元领跑国际，成功研制8寸高性能滤波器用压电材料POI衬底
 评论 ⋅  2024-05-09 15:36
我国高性能光子芯片领域取得突破 可批量制造！
 评论 ⋅  2024-05-09 14:47
西安8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目实现“交地即交证” 总投资45亿元
 评论 ⋅  2024-04-23 17:12
西安8英寸高性能特色工艺半导体生产线项目争2024年建成投产
 评论 ⋅  2024-04-23 17:06
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备
 评论 ⋅  2024-04-22 10:14
晶合集成申请半导体器件专利，提升半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-03-13 19:17
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
 评论 ⋅  2024-03-11 18:05
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利，有效抑制负阻效应，提高器件性能
 评论 ⋅  2024-03-01 10:41
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
唐为华教授团队通过热重排工程和能带调制实现可调谐的 Ga₂O₃ 日盲光敏性能
 评论 ⋅  2024-01-19 08:38
中科潞安量产产品性能再升级 大功率UVC-LED器件实验室效率破9.5%
中科潞安深紫外UVC-LED
 评论 ⋅  2024-01-15 08:47
中国科学院半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖
中国科学院半导体所高性能钙钛矿半导体光电器件载流子2022年度北京市自然科学奖一等奖
 评论 ⋅  2023-12-28 14:19
丰田、本田、电装、瑞萨电子等12家日企宣布合作开发高性能汽车芯片
丰田斯巴鲁日产本田马自达电装松下汽车系统Socionext瑞萨电子新思科技日本公司
 评论 ⋅  2023-12-28 14:02
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
 评论 ⋅  2023-12-15 14:28
量子工程材料如何赋能半导体性能提升？
 评论 ⋅  2023-12-14 17:34
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
厦大曹阳教授团队在单原子层六方氮化硼用于提升析氧反应性能研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-11-10 13:48
华为全面完成5G-A关键技术性能测试 5.5G商用时代望加速开启
 评论 ⋅  2023-10-23 09:52
芯聚威科技完成数千万元Pre-A轮融资，专注高性能信号链集成电路产品
 评论 ⋅  2023-10-20 14:37
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