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厦门大学张峰：新型沟槽SiC基MOSFET器件研究
 评论 ⋅  2023-12-26 15:37
深圳大学刘新科：低成本垂直GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-12-26 11:51
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
西安电子科技大学游淑珍：面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势
 评论 ⋅  2023-12-25 16:32
九峰山实验室全面布局SiC沟槽器件能力
 评论 ⋅  2023-12-22 18:25
阳光电源王昊：碳化硅功率器件在新能源电能变换中的应用和挑战
 评论 ⋅  2023-12-22 16:52
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
山大华天迟恩先：SiC器件在电能质量控制产品中的应用
 评论 ⋅  2023-12-22 11:05
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
总投资约15亿！汉轩车规级SiC功率器件项目开工
晶圆徐州高新区汉轩车规级功率器件制造项目开工
 评论 ⋅  2023-12-19 18:02
汉轩车规级功率器件制造项目在徐州开工
 评论 ⋅  2023-12-19 15:32
赛微电子控股子公司MEMS超高频器件启动量产
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线
致瞻科技碳化硅SiC电动压缩机控制器黑灯工厂碳化硅器件
 评论 ⋅  2023-12-18 10:00
赛微电子与子公司拟1.8亿元设合资公司 实施MEMS高频通信器件制造项目
 评论 ⋅  2023-12-15 16:46
共达电声拟10.4亿元投建电声元器件及电声组件生产基地项目
 评论 ⋅  2023-12-15 15:34
赛微电子：拟与子公司以1.8亿元设合资公司，实施MEMS高频通信器件制造工艺开发项目
赛微电子，MEMS，半导体产业，晶圆
 评论 ⋅  2023-12-15 11:58
IFWS 2023│小鹏汽车杨恒：碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用
 评论 ⋅  2023-12-13 10:58
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS 2023│ 加拿大Crosslight首席研发专家Ahmed NASHED：基于半导体激光器件的高级光学建模与仿真
 评论 ⋅  2023-12-11 15:24
IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
CASAS正式成立SiC/GaN功率器件与模块工作组
 评论 ⋅  2023-12-07 08:43
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
 评论 ⋅  2023-12-05 15:05
IFWS 2023│碳化功率器件及封装技术分会新提升
 评论 ⋅  2023-11-30 11:22
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
《第三代半导体功率器件产业及标准化蓝皮书》发布
 评论 ⋅  2023-11-29 22:45
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