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扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
武汉新芯“半导体器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-23 11:38
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-02-23 09:55
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
长电科技申请光电芯片互联封装结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-01-31 17:57
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
比亚迪半导体申请半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
 评论 ⋅  2024-01-09 10:21
IFWS 2023│中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
SSLCHINA2023│河北工业大学徐庶：量子点氧化物复合材料的制备及LED应用
 评论 ⋅  2023-11-27 21:48
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
宁波材料所在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的中间层设计和制备方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-10 13:53
河北工业大学张勇辉：化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备
 评论 ⋅  2023-08-03 15:16
中镓半导体刘强：面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
 评论 ⋅  2023-08-02 10:10
中国科学院微电子所黄森：Si基GaN功率器件制备技术与集成
 评论 ⋅  2023-08-01 11:02
CASICON西安站前瞻|中国科学院微电子所黄森：Si基GaN功率器件制备技术与集成
 评论 ⋅  2023-07-13 11:36
重大进展！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术
 评论 ⋅  2023-07-12 10:16
重要成果！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术！
 评论 ⋅  2023-07-11 19:21
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法”发明专利发布
 评论 ⋅  2023-05-22 17:13
【CASICON 2023】河北工业大学张紫辉教授：GaN功率电子器件的物理建模与制备研究
 评论 ⋅  2023-05-08 10:30
首届九峰山论坛召开 共议化合物半导体关键材料与制备工艺趋势
 评论 ⋅  2023-04-24 20:22
中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED
 评论 ⋅  2023-04-11 18:03
打破国外垄断 武汉先进院有机硅材料制备技术取得突破
 评论 ⋅  2023-04-11 07:55
简述碳化硅衬底制备的重点与难点
 评论 ⋅  2023-04-10 14:05
科友半导体董事长赵丽丽：电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索
 评论 ⋅  2023-03-13 17:34
西安邮电大学重点实验室成功制备高耐压性能半导体材料
 评论 ⋅  2023-03-09 15:17
山东大学教授陈秀芳：大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底制备
 评论 ⋅  2023-03-03 16:28
国内第一！中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2023-02-28 14:33
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来
 评论 ⋅  2023-02-28 14:09
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