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年产100万只高速光通信器件和模块项目正式启动厂房装修工程
 评论 ⋅  2025-01-10 10:59
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-07 14:55
世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运
 评论 ⋅  2025-01-06 19:07
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:40
甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台正式投用
 评论 ⋅  2024-12-31 16:23
昌龙智芯半导体功率器件项目投资超5亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 15:59
行业Top级厂商齐聚功率器件展区！CSE 2025等您来探！
 评论 ⋅  2024-12-27 19:41
功率半导体器件研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
 评论 ⋅  2024-12-27 14:39
武汉敏声高端射频滤波器生产线项目封顶
 评论 ⋅  2024-12-27 09:37
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
总投资7.5亿元，星曜半导体5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产
 评论 ⋅  2024-12-24 15:10
晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-24 10:34
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
光迅科技高端光电子器件产业基地一期达产
 评论 ⋅  2024-12-20 11:14
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
CSA半导体激光器专业委员会正式成立，并成功召开第一届一次会议
 评论 ⋅  2024-12-18 15:37
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
光谷筑芯微电子精密器件智造基地(首开区) 项目喜封金顶！
 评论 ⋅  2024-12-13 09:23
“2024年度（第十七届）华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”进入公众投票阶段
 评论 ⋅  2024-12-13 07:11
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
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