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厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
简述先进封装Chiplet的优缺点
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在功率器件领域的研究进展
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
中科院半导体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
国内8英寸SiC传来新进展!
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学
III族氮化物
外延层薄膜
宽禁带半导体
Chiplet成半导体性能提升重要路径
中科院宣布,光计算芯片领域新突破!
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
世界最好水平!奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
简述GaN 外延生长方法及生长模式
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
上海光机所在特殊波长的飞秒超快光纤激光器研制方面获进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
台积2纳米试产 有动作了
CASA发布《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》
简述半导体工艺与制造装备技术发展趋势
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技术及应用通过技术鉴定
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法”发明专利发布
厦门大学团队发表Mini-LEDs非接触检测新技术
厦门大学张洪良团队在宽禁带氧化镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
中国科大参与实现“超快调速”自旋量子比特
厦大团队在Micro-LED全彩显示技术方面取得突破
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