三星电子获美47.45亿美元芯片补贴
 评论 ⋅  2024-12-25 12:01
官宣！日产本田确认合并！
 评论 ⋅  2024-12-25 10:44
24亿元！惠科与绵投集团签订增资扩股协议
 评论 ⋅  2024-12-25 08:46
2024年中国半导体并购31件 模拟芯片和材料成热点
 评论 ⋅  2024-12-25 08:26
一代鞋王跨界半导体，奥康国际筹划增发收购联和存储科技
 评论 ⋅  2024-12-25 08:17
现代汽车解散半导体战略部门，原计划自研5nm芯片
 评论 ⋅  2024-12-25 08:16
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长装置专利，有利于生长空间的稳定性
 评论 ⋅  2024-12-24 16:04
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
华海清科自主研发清洗装备已批量用于晶圆再生生产
 评论 ⋅  2024-12-24 11:28
士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-24 10:34
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:33
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:32
天域半导体向港交所递交上市申请
 评论 ⋅  2024-12-24 08:33
华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀
 评论 ⋅  2024-12-23 16:54
郑州势垒取得用于金刚石生长的 MPCVD 装置专利，能有效隔离外界空气维持真空工作环境
 评论 ⋅  2024-12-23 15:15
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
东方晶源荣获2025 IC风云榜“年度领军企业奖”
 评论 ⋅  2024-12-23 08:17
上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
用AI链接芯世界，此芯科技2024生态大会完美收官
 评论 ⋅  2024-12-20 10:15
环球晶圆获芯片法案4.06亿美元补贴，将建设美国首座大批量300毫米硅晶圆工厂
 评论 ⋅  2024-12-20 09:32
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利，能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
 评论 ⋅  2024-12-19 17:36
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利，实现晶圆级别集成
 评论 ⋅  2024-12-19 17:32
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
长飞先进武汉碳化硅基地设备进场
 评论 ⋅  2024-12-19 16:54
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
中科飞测第1000台集成电路质量控制设备出机
 评论 ⋅  2024-12-19 15:59
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